NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP3418A是相同的NCP3418但没有内部电荷泵二极管。该NCP3418引脚对引脚兼容与ADI ADP3418具有以下优点:
•更快的上升和下降时间
•内部电荷泵二极管降低成本和元件数量
•热关断系统保护
•集成的过压保护
•内部下拉电阻瞬态抑制作者:任转MOSFET的
特点
•防交叉传导保护电路
•浮顶升压驱动器可容纳高达30 V的电压
•一个输入信号控制上,下两个门输出
•输出禁用控制关闭两款MOSFET
•符合VRM的10.x的规格
•欠压锁定
•热关断
•热增强型封装
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
时间:2013-2-26 15:26:00
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电
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2024-3-28 16:45:00
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