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IRG4BC30F价格

参考价格：￥9.8960

型号：IRG4BC30FD1PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC30F多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30F批发/采购报价，IRG4BC30F行情走势销售排行榜，IRG4BC30F报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Generation 4 IGBTs off

IRF

IRG4BC30F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4BC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4BC30F

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30F

600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装

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英飞凌

IRG4BC30FD

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

IRG4BC30FD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-s

IRF

IRG4BC30FD1

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

IRG4BC30FD1PBF

Fast CoPack IGBT

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra lo

IRF

IRG4BC30FDPBF

Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A )

Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

IRF

IRG4BC30FD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra l

IRF

IRG4BC30FD-S

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 hyperfast 1-8 kHz 二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter . parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra

IRF

IRG4BC30FPBF

Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package • Lead-Free Benefits • Generatio

IRF

IRG4BC30FD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

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IRG4BC30FD1

600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装， >20kHz 谐振模式

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30FD1PBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30FD1PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRG4BC30FD1PBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRG4BC30FDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC30FDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRG4BC30FD-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRG4BC30FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BC30FPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BC30F-STRLP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4BC30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Generation 4 IGBTs off

IRF

IRG4BC30KS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous

IRF

IRG4BC30S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

IRG4BC30F产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max：

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package ：

    TO-220

  • Voltage Class max：

    600.0V

  • IC(@100°) max：

    17.0A

  • IC(@25°) max：

    31.0A

  • ICpuls max：

    124.0A

  • Ptot max：

    100.0W

  • VCE(sat) ：

    1.59V 

  • Eon ：

    0.23mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    1.18mJ 

  • td(on) ：

    20.0ns 

  • tr ：

    16.0ns 

  • td(off) ：

    290.0ns 

  • tf ：

    350.0ns 

  • QGate ：

    67.0nC 

  • Ets  (max)：

    1.41mJ (2.0mJ)

  • Switching Frequency ：

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max：

    600.0V

IRG4BC30F供应商更多...

更新时间：2026-5-20 14:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒达亿科技有限公司
IRG4BC30FD
IR
25+
TO-220
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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深圳市诺美思科技有限公司
IRG4BC30F-S
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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深圳市昌和盛利电子有限公司
IRG4BC30F
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北京京北通宇电子元件有限公司
IRG4BC30FD-SPBF
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10000
查现货到京北通宇商城
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深圳市创新迹电子有限公司
IRG4BC30F-SPBF
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9000
原装现货,随时欢迎询价
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上海磐岳电子有限公司
IRG4BC30FD-STRRP
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5800
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深圳市东来宝电子科技有限公司
IRG4BC30FPBF
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
IRG4BC30FPBF
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRG4BC30FDPBF
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深圳市博中泰实业有限公司
IRG4BC30F-SPBF
INFINEON/英飞凌
25+
TO-263
90000
全新原装现货
询价

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