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IRG4BC30KS中文资料

厂家型号

IRG4BC30KS

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功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC30KS数据手册规格书PDF详情

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

• This part replaces the IRGBC30K-S and

IRGBC30M-S devices

IRG4BC30KS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KS

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

更新时间:2025-10-5 9:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
03+
TO-252
1000
自己公司全新库存绝对有货
Infineon Technologies
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
D2PAK
9000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO
8000
只做原装现货
IR
23+
TO
7000
IR
24+/25+
1100
原装正品现货库存价优
IR
24+
原厂封装
150
原装现货假一罚十
IR
24+
TO263
9300
IR
17+
TO-263
6200
100%原装正品现货
IR
24+
TO-263
5000
全现原装公司现货