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IRG4BC30FD价格

参考价格：￥9.8960

型号：IRG4BC30FD1PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC30FD多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30FD批发/采购报价，IRG4BC30FD行情走势销售排行榜，IRG4BC30FD报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRG4BC30FD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-s	IRF	IRF
IRG4BC30FD	IGBT DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC	ISC 无锡固电	ISC
IRG4BC30FD	600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package 600V IGBT 与快速 1-8 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中。 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-220AB 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC30FD	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra lo	IRF	IRF
IRG4BC30FDPBF	Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A ) Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than	IRF	IRF
IRG4BC30FD-S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra l	IRF	IRF
IRG4BC30FD-S	600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package 600V IGBT 与 hyperfast 1-8 kHz 二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC30FD-SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter . parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra	IRF	IRF
IRG4BC30FD1	600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装， >20kHz 谐振模式	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC30FD1PBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD1PBF	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC30FD1PBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：415.83 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：397.06 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FDPBF	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC30FDPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：397.06 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30FD-SPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Generation 4 IGBTs off	IRF	IRF
IRG4BC30F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Generation 4 IGBTs off	IRF	IRF
IRG4BC30KS	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous	IRF	IRF
IRG4BC30S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A) Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (	IRF	IRF

IRG4BC30FD产品属性

类型
描述
Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
1.0kHz 8.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
17.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
124.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
1.59V
Eon ：
0.63mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.39mJ
td(on) ：
42.0ns
tr ：
26.0ns
td(off) ：
230.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
51.0nC
IF max：
120.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
2.02mJ (3.9mJ)
VCE max：
600.0V

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更新时间：2026-5-21 20:05:00

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中天科工半导体（深圳）有限公司	IRG4BC30FD	IR	20+	TO-220	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRG4BC30FD-STRRP	IR	25+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市湘达电子科技有限公司	IRG4BC30FD-SPBF	INFINEON/英飞凌	2022+		5000	只做原装,价格优惠,长期供货。	询价
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IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
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原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
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