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IRG4BC30FD-S价格
参考价格：￥8.1258
型号：IRG4BC30FD-SPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC30FD-S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30FD-S批发/采购报价，IRG4BC30FD-S行情走势销售排行榜，IRG4BC30FD-S报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC30FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra l | IRF |   | |
IRG4BC30FD-S | 600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter . parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE 文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC | IRF | | ||
IGBT DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC | ISC 无锡固电 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages | IRF | |
IRG4BC30FD-S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC30FD-S
- 功能描述
IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO263 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IOR |
20+ |
TO220 |
20500 |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
IRG4BC30FD-S芯片相关品牌
IRG4BC30FD-S规格书下载地址
IRG4BC30FD-S参数引脚图相关
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- jk触发器
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IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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