IRG4BC30FD1价格

参考价格:¥9.8960

型号:IRG4BC30FD1PBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRG4BC30FD1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC30FD1批发/采购报价,IRG4BC30FD1行情走势销售排行榜,IRG4BC30FD1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC30FD1

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

IRG4BC30FD1

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

Fast CoPack IGBT

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra lo

IRF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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IRF

IRG4BC30FD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30FD1

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-6 17:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
INFINEON/英飞凌
23+
NA
25630
原装正品
Infineon Technologies
25+
TO-220-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
24+
TO-220AB
8866
INFINEON/英飞凌
24+
NA
43250
郑重承诺只做原装进口现货
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
IR
24+
65230
Infineon
24+
NA
3245
进口原装正品优势供应

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