IRG4BC20S价格

参考价格:¥5.8212

型号:IRG4BC20SDPBF 品牌:IR 备注:这里有IRG4BC20S多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC20S批发/采购报价,IRG4BC20S行情走势销售排行榜,IRG4BC20S报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC20S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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IRG4BC20S

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IRG4BC20S

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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IRG4BC20S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20S

  • 功能描述

    IGBT STD 600V 19A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-6 3:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
SOP
2960
诚信交易大量库存现货
IR
2020+
TO-220
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR/VISHAY
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
24+
TO220
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IR
2023+
TO-263
50000
原装现货
INTERNATIONALRECTIFIER
23+
NA
11000
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道
Infineon(英飞凌)
23+
TO220AB3
6000
诚信服务,绝对原装原盘
IR
12+
TO-220
2008
INFINEON/英飞凌
2021+
45000
十年专营原装现货,假一赔十
IR
21+
TO263
1709

IRG4BC20S芯片相关品牌

  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
  • CT
  • DSK
  • EIC
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  • MTRONPTI
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  • TALEMA
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