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IRG4BC20SD价格
参考价格：￥5.8212
型号：IRG4BC20SDPBF 品牌：IR 备注：这里有IRG4BC20SD多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20SD批发/采购报价，IRG4BC20SD行情走势销售排行榜，IRG4BC20SD报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC20SD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-para | IRF |   | |
IRG4BC20SD | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | INFINEON 英飞凌 | | |
IRG4BC20SD | 600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package | INFINEON 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel dio | IRF | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | INFINEON 英飞凌 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) 文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) 文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package | INFINEON 英飞凌 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD 文件：512.049 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20SD产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20SD
- 功能描述
IGBT W/DIODE 600V 19A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IR |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
21+ |
TO263 |
1709 |
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IR |
TO263 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
12+ |
TO-220 |
2008 |
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INTERNATIONALRECTIFIER |
25+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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IR |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IR |
2025+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IR |
26+ |
TO-220 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
IRG4BC20SD规格书下载地址
IRG4BC20SD参数引脚图相关
- l101
- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRH7130
- IRH7054
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- IRH4150
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IRG4BC20SD数据表相关新闻
IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技 有限公司
2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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