找IC，尽在114IC

芯片资料
  • 芯片资料
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 制造商
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料 > IRG4BC20SD

IRG4BC20SD价格

参考价格：￥5.8212

型号：IRG4BC20SDPBF 品牌：IR 备注：这里有IRG4BC20SD多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20SD批发/采购报价，IRG4BC20SD行情走势销售排行榜，IRG4BC20SD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC20SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-para

IRF

IRG4BC20SD

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC20SD

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package

INFINEON

英飞凌

IRG4BC20SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Very Tight Vce(on) distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel dio

IRF

IRG4BC20SDPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC20SDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC20SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC20SD-S

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package

INFINEON

英飞凌

IRG4BC20SD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD

文件：512.049 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4BC20KDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gene

IRF

IRG4BC20MDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

Features • Rugged: 10µsec short circuit capable at VGS=15V • Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications • IGBT Co-packaged with ultra-soft-recovery antiparallel diode • Industry standard D2Pak package Benefits • Offers highest efficiency and short circuit capability for intermediate application

IRF

IRG4BC20UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-s

IRF

IRG4BC20WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC20SD产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max：

    1.0kHz 1.0kHz

  • Package ：

    TO-220

  • Voltage Class max：

    600.0V

  • IC(@100°) max：

    10.0A

  • IC(@25°) max：

    19.0A

  • ICpuls max：

    38.0A

  • Ptot max：

    60.0W

  • VCE(sat) ：

    1.4V 

  • Eon ：

    0.32mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    2.58mJ 

  • td(on) ：

    62.0ns 

  • tr ：

    32.0ns 

  • td(off) ：

    690.0ns 

  • tf ：

    480.0ns 

  • QGate ：

    27.0nC 

  • IF max：

    38.0A

  • VF ：

    1.4V 

  • Qrr ：

    65.0nC 

  • Irrm ：

    3.5A 

  • Ets  (max)：

    2.9mJ (4.5mJ)

  • VCE max：

    600.0V

IRG4BC20SD供应商更多...

更新时间：2026-8-1 10:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市东来宝电子科技有限公司
IRG4BC20SD-SPBF
IR
24+
TO263
54000
郑重承诺只做原装进口现货
询价
深圳市宇创芯科技有限公司
IRG4BC20SD-SPBF
IR
24+
TO263
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
京海半导体(深圳)有限公司
IRG4BC20SDPBF
IR
25+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
IRG4BC20SD-SPBF
INTERNATIONALRECTIFIER
26+
NA
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
现代芯城（深圳）科技有限公司
IRG4BC20SD-SPBF
26+
N/A
82000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
IRG4BC20SD-91794
IR
24+
TO-263
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
IRG4BC20SD
IR
24+
65230
询价
深圳市科雨电子有限公司
IRG4BC20SDPBF
INFINEON
25+
TO-220
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
深圳市柯尔基电子有限公司
IRG4BC20SDPBF
IR
26+
TO-220
29840
主营MOS管 二极.三极管 肖特基二极管.功率三极管
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
IRG4BC20SD
IR
26+
TO-220
35890
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价

IRG4BC20SD芯片相关品牌

IRG4BC20SD规格书下载地址

IRG4BC20SD参数引脚图相关

IRG4BC20SD数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2026 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示