IRG4BC20SD价格

参考价格:¥5.8212

型号:IRG4BC20SDPBF 品牌:IR 备注:这里有IRG4BC20SD多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC20SD批发/采购报价,IRG4BC20SD行情走势销售排行榜,IRG4BC20SD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC20SD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para

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IRG4BC20SD

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio

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封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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IRG4BC20SD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20SD

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 19A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-6 10:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
IR
2023+
TO-220
4675
全新原厂原装产品、公司现货销售
Infineon
22+
NA
2118
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IR
2020+
TO-220AB
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
IR
1922+
TO-220
320
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原装正品,支持实单
IR
2023+
TO-220AB
16800
芯为只有原装,公司现货
Infineon Technologies
21+
TO220AB
13880
公司只售原装,支持实单
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货

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  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
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