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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4BC20SDS | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A) 文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages | IRF |   | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20SDS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20SDS
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO263 |
1709 |
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INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
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INTERNATIONALRECTIFIER |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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INTERNATIONALRECTIFIER |
25+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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IR |
26+ |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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IR |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
NA |
11000 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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IR |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IR |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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IR |
24+ |
TO263 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
IRG4BC20SDS规格书下载地址
IRG4BC20SDS参数引脚图相关
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- k233
- k2055
- k2010
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- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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