IRG4BC20SD-S价格

参考价格:¥4.4084

型号:IRG4BC20SD-SPBF 品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER 备注:这里有IRG4BC20SD-S多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC20SD-S批发/采购报价,IRG4BC20SD-S行情走势销售排行榜,IRG4BC20SD-S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC20SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRF

IRG4BC20SD-S

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package

INFINEON

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

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INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

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Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRG4BC20SD-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20SD-S

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 19A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-29 11:24:00
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