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STGHU30M65DF2AG | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package Features • AEC-Q101 qualified • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 6 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Low thermal resistance • Soft and very fast-recovery antiparallel diode • Exc | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGHU30M65DF2AG | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
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Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low-loss in a TO-220FP package 文件：731.88 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1634+ |
NA |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST(意法) |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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SDIP2B-26L |
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ST |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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2020-12-1
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