STGP15H60DF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-6-7 9:51:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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全新原装现货 支持第三方机构验证

制造商: STMicroelectronics

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.6 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 30 A

Pd-功率耗散: 115 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: STGP15H60DF

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

集电极最大连续电流 Ic: 15 A

栅极—射极漏泄电流: 250 nA

产品类型: IGBT Transistors

1000

子类别: IGBTs

单位重量: 6 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Fast Recovery Diode

KSSKyocera Kinseki Corpotation

京瓷日本京瓷株式会社

Control Integrated POwer System

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Control Integrated POwer System

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Mechanical Data

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

Dual Schottky Barrier Rectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

Dual Common Cathode Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

2025-9-26 22:59:00
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