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STGF30M65DF2 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low-loss in a TO-220FP package 文件：731.88 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGF30M65DF2 | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGF30M65DF2 | 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package Features • AEC-Q101 qualified • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 6 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Low thermal resistance • Soft and very fast-recovery antiparallel diode • Exc | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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