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STGF30M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low-loss in a TO-220FP package

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意法半导体

STGF30M65DF2

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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STGF30M65DF2

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗

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意法半导体

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package

Features • AEC-Q101 qualified • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 6 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Low thermal resistance • Soft and very fast-recovery antiparallel diode • Exc

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意法半导体

Low thermal resistance

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Low thermal resistance

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Low thermal resistance

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更新时间:2026-1-3 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO-220
60000
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ST/意法半导体
2022+
TO-220FP-3
6900
原厂原装,假一罚十

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