STGD5H60DF

制造商: STMicroelectronics

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: DPAK-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.5 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流: 10 A

Pd-功率耗散: 83 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: STGD5H60DF

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

集电极连续电流: 5 A

集电极最大连续电流 Ic: 10 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

产品类型: IGBT Transistors

2500

子类别: IGBTs

单位重量: 330 mg