产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.2 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 600 W
封装 / 箱体: ISOTOP-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
高度: 9.1 mm
长度: 38.2 mm
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Through Hole
产品类型: IGBT Modules
系列: STGE200NB60S
100
子类别: IGBTs
商标名: PowerMESH
宽度: 25.5 mm
单位重量: 28 g
