STGP20H60DF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-12-2 9:17:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: STMicroelectronics

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 40 A

Pd-功率耗散: 167 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: STGP20H60DF

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流: 250 nA

产品类型: IGBT Transistors

1000

子类别: IGBTs

单位重量: 2.300 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Fast Recovery Diode

KSSKyocera Kinseki Corpotation

京瓷日本京瓷株式会社

60 V field-effect rectifier diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

20A SCHOTTKY RECTIFIER

GAMMA

Gamma Microelectronics Inc.

Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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Dual Schottky Barrier Rectifier

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Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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Dual Schottky Barrier Rectifier

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2026-1-5 23:01:00
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