制造商 STMicroelectronics/意法
数据列表 STGD5NB120SZ
标准包装 75
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列 PowerMESH?
其它名称 STGD5NB120SZ-1
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 10A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2V @ 15V，5A
功率 - 最大值 75W
开关能量 2.59mJ（开），9mJ（关）
输入类型 标准
25°C 时 Td（开/关）值 690ns/12.1μs
测试条件 960V，5A，1 千欧，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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