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位置：首页 > IC中文资料第3967页 > STF26NM60N

STF26NM60N价格

参考价格：￥8.2111

型号：STF26NM60N 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STF26NM60N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STF26NM60N批发/采购报价，STF26NM60N行情走势销售排行榜，STF26NM60N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STF26NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=165mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STF26NM60N

N-channel600V,0.135ohmtyp.,20AMDmeshIIPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220,TO-220FPandTO-247packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETappliesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldadevicewithoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge,making

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STF26NM60N

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件：1.15827 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
STF26NM60ND

Lowinputcapacitanceandgatecharge

Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STF26NM60N-H

N-channel600V,0.135??20AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP

Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
26NM60N

N-channel600V,0.160廓,19APowerFLAT??8x8HVultralowgatechargeMDmesh??IIPowerMOSFET

Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB26NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=165mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB26NM60N

N-channel600V,0.135ohmtyp.,20AMDmeshIIPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220,TO-220FPandTO-247packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETappliesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldadevicewithoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge,making

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB26NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=175mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB26NM60ND

Lowinputcapacitanceandgatecharge

Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STF26NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STF26NM60N

  • 功能描述

    MOSFET N-channel 600 V 20 A Mdmesh

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STF26NM60N供应商更多...

更新时间：2024-4-19 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
STF26NM60N
ST/意法
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9800
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深圳市朱博士电子科技有限公司
STF26NM60ND
STMICRO
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STF26NM60N
ST
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STF26NM60N
ST
2020+
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    全新原装现货支持第三方机构验证

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    https://hfx03.114ic.com/

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  • STF13N60

    STF13N60，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-10-28

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