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STF26NM60N中文资料
STF26NM60N数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
• Low Drain-Source On-Resistance
FEATURES
• Drain Current –ID=20A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
STF26NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF26NM60N
- 功能描述
MOSFET N-channel 600 V 20 A Mdmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-247 |
20000 |
热卖优势现货 |
|||
ST |
24+/25+ |
TO220F |
6000 |
100%原装正品真实库存,支持实单 |
|||
ST |
24+ |
TO-220F |
10000 |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买 |
|||
STM |
15+ |
原厂原装 |
6000 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
ST |
24+ |
原厂原装正品 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
ST |
21+ |
TO-220F |
1000 |
原装优势现货 欢迎咨询 |
|||
ST |
2046+ |
TO220F |
5000 |
全新原装公司现货
|
|||
ST |
23+ |
TO220F |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
2443 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
STF26NM60ND 价格
参考价格：￥21.9023
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- C317C322GGG5TA7301
- C331C322GGG5TA7301
- C336C322JGG5TA7301
- C336C473MFR5HA7301
- KIC3201S-24
- KIC3201S-51
- STF24NM60N
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- STF25N10F7
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- P96
- P97
- P98
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
