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STB26NM60N价格

参考价格：￥18.5418

型号：STB26NM60N 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STB26NM60N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB26NM60N批发/采购报价，STB26NM60N行情走势销售排行榜，STB26NM60N报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
STB26NM60N	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=165mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB26NM60N	N-channel600V,0.135ohmtyp.,20AMDmeshIIPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220,TO-220FPandTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETappliesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldadevicewithoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge,making	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB26NM60ND	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=175mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB26NM60ND	Lowinputcapacitanceandgatecharge Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
26NM60N	N-channel600V,0.160廓,19APowerFLAT??8x8HVultralowgatechargeMDmesh??IIPowerMOSFET Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

STB26NM60N产品属性

类型
描述
型号
STB26NM60N
功能描述
MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-29 21:57:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个制造商STMicroelectronics 包装：1000 封装：TO-263-3
2021-9-18

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