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STB26NM60ND中文资料
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DESCRIPTION
• Low Drain-Source On-Resistance
FEATURES
• Drain Current –ID=21A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 175mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
STB26NM60ND产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB26NM60ND
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR(SOS)
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
- 制造商
STMicroelectronics
- 功能描述
Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
NEC |
23+ |
SOP-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
STM |
1809+ |
TO-263 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
STB26NM60ND 价格
参考价格：￥26.1954
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- SV
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- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
