STF140N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。以下是对该产品功能的一般说明：
1. 电压和电流能力：STF140N6F7具有低导通电阻和高电流能力，能够承受较高的电压和电流。它适用于高功率应用，如电源、电机驱动和功率转换等。
2. 低导通电阻：STF140N6F7的导通电阻很低，可以降低功耗和热量产生。这有助于提高系统效率和可靠性。
3. 快速开关速度：STF140N6F7具有快速的开关速度，可以实现高效的功率转换和响应速度。这对于需要快速开关的应用非常重要。
4. 保护功能：STF140N6F7具有多种保护功能，包括过温保护和过电流保护等。它可以保护MOSFET和外部设备免受损坏。
STF140N6F7适用于各种高功率应用，包括电源系统、电机驱动、电动工具和电动车辆等。它具有高性能、低导通电阻和快速开关速度，可满足各种功率转换需求。
产品型号：STF140N6F7
零件编号
497-16970-ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STF140N6F7
描述
MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
详细描述
通孔 N 通道 60 V 70A（Tc） 33W（Tc） TO-220FP
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
STF140
