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STB26NM60N中文资料
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DESCRIPTION
• Low Drain-Source On-Resistance
FEATURES
• Drain Current –ID=20A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
STB26NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB26NM60N
- 功能描述
MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂原包 |
24+ |
原装 |
38560 |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
|||
ST(意法) |
24+ |
D2PAK |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
6008 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST |
16+ |
10000 |
原装正品 |
||||
ST |
20+ |
D2PAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
STM原厂目录 |
24+ |
D2PAK |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
STB26NM60ND 价格
参考价格：￥26.1954
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
