STGD10NC60KDT4

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全新原装现货支持第三方机构验证

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: DPAK-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: STGD10NC60KDT4

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

集电极最大连续电流 Ic: 20 A

高度: 2.4 mm

长度: 6.6 mm

产品类型: IGBT Transistors

2500

子类别: IGBTs

宽度: 6.2 mm

单位重量: 350 mg

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
STGD10NC60KDT4	10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGD10NC60KDT4	N-channel 600V - 10A - DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGD10NC60KDT4	10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB10NC60KDT4	10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB10NC60KDT4	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB10NC60KDT4	10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB10NC60KDT4	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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2024-5-15 18:10:00