HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器

双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器
辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4424RH和7.5V的房协，4424BRH。与Intersil的人工介质隔离抗辐射硅栅（体操）BiCMOS工艺，这些器件免疫单事件闭锁，并已明确在严酷的设计提供高度可靠的性能辐射环境中。

特点
•电甄别，以倒序贴片＃5962-99560
•QML第合格的每符合MIL - PRF- 38535要求
•辐射环境
-总剂量（最大.................. 0.3× 105的RAD（四）
-闭锁免疫
- 低剂量率免疫
•电流峰值：I.................. >甲（敏）
•匹配的上升和下降时间（氯=4300pF）.................. 75ns（最大）
•低电压锁定功能
- 恒生-4424RH.................. <10.0V
- 恒生-4424BRH.................. <7.5V的
•宽电源电压范围.................. 12V至18V的
•支柱延迟..................250生理盐水（最大）
•一致的延迟时间与VCC的变化
•低功耗
- 与高40mW功率输入
-用低输入功率为20mW
•低等效输入电容..................3.2 pF的（典型）
•ESD保护.................. >4000V

应用
•开关电源
•直流/直流转换器
•电机控制器