HS9-2100RH-抗辐射高频半桥驱动

抗辐射高频半桥驱动
该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和
驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返回在林州和议员返回到显状态。

特点
•电甄别，以倒序贴片＃5962-99536
•QML第合格的每符合MIL - PRF- 38535要求
•辐射环境
- 最大总剂量.............. 0.3× 105的RAD（四）
- 二体操进程提供闭锁免疫
- 垂直结构提供低剂量率免疫
•自举电源电压120伏最大
•驱动1000pF的负载与1MHz的上升和下降时间的45ns（典型值）
•第1A（典型值）峰值输出电流
•非独立输入半桥拓扑
•低直流功耗..............为60mW（典型值）
•工作与VDD= VCC的超过12V至20V范围
•电源欠压保护

应用
•高频开关模式电源供应器
•驱动程序为感性负载
•直流电动机驱动器