SK海力士HBM混合键合良率提升，ASML被传研发W2W键合设备

人工智能大模型正以狂飙之势重塑全球科技，算力需求呈指数级增长。在这场技术竞赛中，GPU的性能不断攀升，但“内存墙”瓶颈却日益凸显——处理器的计算速度远远快于数据从内存传输到处理器的速度。为了打破这堵无形的墙，高带宽内存（HBM）应运而生，成为连接算力与数据的关键桥梁。

然而，随着HBM堆叠层数向12层、16层甚至更高迈进，原有的堆叠技术正逼近物理极限。为了突破这一瓶颈，各家存储巨头纷纷押注“混合键合（Hybrid Bonding）”技术。近日，韩国存储巨头SK海力士披露，其应用于HBM的混合键合良率较两年前显著提升，技术成熟度持续改善。这一突破不仅标志着HBM技术演进的关键拐点，更预示着AI算力基础设施即将迎来一场深刻的变革。

技术原理：从“微凸点”到“原子级焊接”的跨越

要深刻理解混合键合技术的革命性意义，首先需要回顾芯片堆叠技术的演进历程。在过去，芯片之间的垂直互连主要依赖“热压键合（TCB）”技术，其核心是利用微小的焊球（Micro-bumps）将上下两层芯片物理连接起来。这种技术虽然成熟，但焊球本身占据了物理空间，且电阻相对较高，限制了信号传输的速度和密度。随着HBM堆叠层数的增加，这些微小的焊球逐渐成为了限制带宽提升和能效优化的瓶颈。