说明
该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司(J&S)的高votage,高速功率MOSFET与三个独立的高,低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能,终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号,表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程,通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低设计驱动器跨导。传输延迟匹配,简化高频应用。该浮动通道可用来驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT的可在高达600伏。...
特点
•浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐负瞬态电压 -的dV/ dt的免疫
•门极驱动电压范围从10至20V(IR2136/IR21368)11.5至20V(IR21362)或12到20V(IR21363/IR21365/IR21366/IR21367)
•所有通道欠压锁定
•过电流停机关闭所有六名司机
•独立的3个半桥式驱动器
•匹配的所有通道传播延迟
•跨导预防逻辑
•Lowside产出与投入的阶段了。高压侧异相输出(IR2136/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368)或相(IR21362)的投入。
•3.3V逻辑兼容
•较低的di / dt的栅极驱动更好的抗噪声能力
•外部可编程自动故障延时清除
•也可用无铅
IR2136-3相桥驱动器...
时间:2013-2-9 15:26:00
说明该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司(J&S)的高votage,高速功率MOSFET与三个独立的高,低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能,终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。
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2024-4-27 16:30:00
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