说明
在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。
特点
•浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫
•门极驱动电压范围从10至20V
•欠压锁定
•3.3V，5V和15V的逻辑兼容
•跨导预防逻辑
•匹配的两个通道传播延迟
•内部死区时间设置
•高侧同相输出与HIN输入
•低侧相输出和LIN输入了
IR2103-半桥驱动器
时间：2013-2-9 15:26:00
说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特
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2025-12-29 15:55:00
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