说明
在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。
特点
•浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫
•门极驱动电压范围从10至20V
•欠压锁定两个通道
•3.3V和5V输入逻辑兼容
•匹配的两个通道传播延迟
•逻辑和功率地+ /- 5V的偏移。
•较低的di / dt的栅极驱动器更好的抗噪声性能
•输出源/吸收电流能力1.4A/1.8A
•也可用无铅（PBF的）
IR21834-半桥驱动器
时间：2013-2-9 15:26:00
说明 在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。
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2025-9-27 22:59:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR | 24+ | NA/ | 4683 | 原装现货,当天可交货,原型号开票 | |||
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INFINEON | 24+ | SOP14 | 12000 | 进口原装 价格优势 | |||
IR | 25+ | 344 | 860000 | 明嘉莱只做原装正品现货 |
