特点
•浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫
•欠压锁定
•可编程振荡器频率1.4（逆转录75Ω）CT检查
•匹配的两个通道传播延迟
•低侧输出在第二阶段，用RT
说明
该IR2151是一种高电压，高速度，自激功率MOSFET和IGBT驱动器，带有两
高，低侧参考输出通道。专有HVIC和免疫技术的CMOS锁存使整体加固施工。前面高端功能的可编程振荡器类似于有555定时器。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和一个内部死区时间设计最小驱动器跨导。传播这两个渠道的延误是相匹配的简化用50％的占空比应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营了一个高电压高达600伏的铁路。
IR2151S-半桥驱动器。劳在与RT阶段。可编程振荡频率。 1.2us死区时间在8引脚SOIC封装
时间：2013-2-9 15:26:00
特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•欠压锁定•可编程振荡器频率1.4（逆转录75Ω）CT检查•匹配的两个通道传播延迟•低侧输出在第二阶段，用RT说明该IR2151是一种高电压，
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2024-4-27 15:32:00
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