IR51H224-自激式半桥

特点
·输出功率MOSFET在半桥配置
·高侧栅极驱动器引导操作设计
·自举二极管集成包（HD型）
·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us
·内部振荡器具有可编程的频率
·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰
·微功率启动

说明
该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使单包加固施工。前端具有一个可编程的振荡器功能类似的CMOS555定时器。到控制电源齐纳钳位电路简化脱机运行。输出具有两个HEXFETs在半桥配置与内部设置死区设计最低跨导在半的桥梁。对于高端和低端传播延迟...