IR2233-3相桥驱动器

特点
•浮动通道设计为引导操作 充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫
•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态
•所有通道欠压锁定
•过电流关闭关闭所有六名司机
•独立的3个半桥式驱动器
•匹配的所有通道传播延迟
•兼容2.5V的逻辑
•产出与投入的逐步淘汰
•也可用无铅

说明
该IR2133IR2135/IR2233IR2355公司（J＆S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相申请。专有的HVIC技术使得耐用单片建设。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到2.5V的逻辑。一个独立运作放大器提供了一个桥梁模拟反馈通过一个外部电流检测电阻器的电流。一个电流跳闸功能，终止所有六个输出也来自这个电阻。关断功能可终止所有六个输出。开漏故障信号，表明提供过流或欠压关机的现象。清除故障条件与外语教学- CLR的领先地位。输出驱动器具脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。传输延迟匹配使用，以简化高频率的应用。浮动通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的高端配置，该配置可在高达600伏或1200伏。