IRG4PC30价格

参考价格:¥8.3270

型号:IRG4PC30FDPBF 品牌:International 备注:这里有IRG4PC30多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4PC30批发/采购报价,IRG4PC30行情走势销售排行榜,IRG4PC30报价。
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IRG4PC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

FastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEFastCoPack1GBT

VCES=600V VCE(on)typ.=1.59V @VGE=15V,IC=17A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhighereffi

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgen

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INSULATEDGATEBIPOALRTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packaged

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevio

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

UltraFastSpeedIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT

UltraFastSpeedIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORFastSpeedIGBT

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封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 31A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 28A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener

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IRG4PC30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC30

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

更新时间:2024-5-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR(国际整流器)
23+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
IR
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IR/国际整流器
21+
TO-247
12800
公司只有原装
IR
23+
TO-3P
18000
IR
24+
TO 247
161528
明嘉莱只做原装正品现货
IR/国际整流器
23+
TO-247
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
IR
22+23+
TO-247
15165
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR/国际整流器
21+
TO-247
10000
只做原装,质量保证
IR
23+
QFP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
3000
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。

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