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位置：首页 > IC中文资料第1118页 > IRG4PC30FPBF

IRG4PC30FPBF价格

参考价格：￥6.8705

型号：IRG4PC30FPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4PC30FPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC30FPBF批发/采购报价，IRG4PC30FPBF行情走势销售排行榜，IRG4PC30FPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4PC30FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

文件：273.67 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC30FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：274.63 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC30FPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 31A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4PC30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

IRF

IRG4PC30FPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：274.63 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

IRF

IRG4PC30F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

G4PC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

IRF

G4PC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC30FPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC30FPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRG4PC30FPBF供应商更多...

更新时间：2025-12-29 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
IRG4PC30FPBF
IR
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