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位置：首页 > IC中文资料第748页 > IRG4PC30U

IRG4PC30U价格

参考价格：￥8.5091

型号：IRG4PC30UDPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4PC30U多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC30U批发/采购报价，IRG4PC30U行情走势销售排行榜，IRG4PC30U报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PC30U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFast Speed IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits •

IRF

IRG4PC30U

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4PC30U

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4PC30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

IRF

IRG4PC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFast CoPack IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult

IRF

IRG4PC30UD

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Avalanche Capability · International Standard Package APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries · Welding Machines

ISC

无锡固电

IRG4PC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-

IRF

IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

UltraFast Speed IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

IRG4PC30UD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4PC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC30UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC30UPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4PC30UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

IRF

IRG4PC30F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

G4PC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener

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G4PC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC30U产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC30U

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 23A TO-247AC

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4PC30U供应商更多...

更新时间：2025-8-23 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRG4PC30UDPBF
IR
2024+
N/A
70000
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深圳市赛尔通科技有限公司
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