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G4PC30F中文资料

厂家型号

G4PC30F

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145Kbytes

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8

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

数据手册

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生产厂商

IRF

G4PC30F数据手册规格书PDF详情

Fast Speed IGBT

Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-247AC package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

更新时间:2025-10-9 9:36:00
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