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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC20FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa | IRF |   | |
IRG4BC20FD-S | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20FD-S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20FD-S
- 功能描述
IGBT FAST 600V 16A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
||||
IR |
23+24 |
SOT263 |
16838 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
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IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
22+ |
D2-PAK |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
IR |
SOT-263 |
6294 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IRG4BC20FD-S规格书下载地址
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- IRH4150
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- IRH3230
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
DdatasheetPDF页码索引
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