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IRG4BC20FD-SPBF中文资料

厂家型号

IRG4BC20FD-SPBF

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298.44Kbytes

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12

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT

IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20FD-SPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

• Lead-Free

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

IRG4BC20FD-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20FD-SPBF

  • 功能描述

    IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
TO-263
3000
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
22+
D2PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon Technologies
25+
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
IR
24+
TO-263
50000
IR
2447
TO-263
100500
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Infineon Technologies
23+
D2PAK
9000
原装正品,支持实单