位置:IRG4BC20FD-S > IRG4BC20FD-S详情

IRG4BC20FD-S中文资料

厂家型号

IRG4BC20FD-S

文件大小

222.11Kbytes

页面数量

10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IGBT FAST 600V 16A D2PAK

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

IRF

IRG4BC20FD-S数据手册规格书PDF详情

Features

• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

IRG4BC20FD-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20FD-S

  • 功能描述

    IGBT FAST 600V 16A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-6 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
05+
原厂原装
1851
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
原厂封装
99
原装现货假一罚十
IR
24+
D2-Pak
8866
INFINEON
25+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
22+
SOT263
8000
原装正品支持实单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
SOT-263
6294
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
22+
D2-PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单