位置:首页 > IC中文资料第5970页 > F1120
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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F1120 | PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime | Polyfet Polyfet RF Devices | ||
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component12X1COND a)Conductor28(7/36)AWGTinnedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.035 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED 2)CableAssembly2ComponentsCabled a)Twists:12.0Twists/ | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
HIGHCURRENTRFCHOKES 文件:38.74 Kbytes Page:1 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | |||
3M??EMI/EMCElectronicMaterials 文件:4.87064 Mbytes Page:12 Pages | 3M 3M Electronics | |||
Cushion-Mount??PlusPlateMountingTapes 文件:309.03 Kbytes Page:4 Pages | 3M 3M Electronics | |||
Heyco짰OriginalStrainReliefBushings 文件:137.33 Kbytes Page:1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |
F1120产品属性
- 类型
描述
- 型号
F1120
- 制造商
POLYFET
- 制造商全称
Polyfet RF Devices
- 功能描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
QFN12EP(2x2) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
SIPEX |
23+ |
SOT-23-3 |
12735 |
||||
TI |
24+ |
QFP-M100P |
1280 |
||||
SYNOXO |
19+ |
SOT23-6 |
70757 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
SYNOXO |
18+ |
SOT-23-6 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
LIAN |
23+ |
6000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
anyconn |
1526 |
2667 |
优势货源原装正品 |
||||
MONRSUN |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
TI |
23+ |
TSSOP-20 |
20138 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
F1120规格书下载地址
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- F1152
- F1150
- F-114X
- F1145HT
- F1145H
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2019-11-15
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