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STGFW40H65FB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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意法半导体

STGFW40H65FB

封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT HB 650V 40A ISOWATT218 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

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更新时间:2026-2-5 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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16960
原装正品现货支持实单
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友
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新到现货,只做全新原装正品
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10000
十年沉淀唯有原装
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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