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STGFW40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

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封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT HB 650V 40A ISOWATT218 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Trenchgatefield-stop650V,40AhighspeedHBseriesIGBT

Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Highspeedswitchingseries •Minimizedtailcurrent •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=40A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance

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更新时间:2025-8-2 23:00:00
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