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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGB40H65FB | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：975.07 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGB40H65FB | 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：975.07 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：1.08307 Mbytes Page：21 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：1.08307 Mbytes Page：21 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST |
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ST |
23+ |
D2PAK |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
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2022-5-7STF40NF20 ST/意法 21+ TO-220F
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