| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GB40H65FB | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：975.07 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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