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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS

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NJSEMI

Powerswitchcircuitofadaptorandcharger

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HMSEMI

HiPerFETPowerMOSFETs

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
更新时间:2024-6-1 13:38:01
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