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IXFA3N120	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
3N120	NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS 文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
HM3N120A	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger 文件：616 Kbytes Page：9 Pages	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM3N120F	Electricwelder,Inverter 文件：430.8 Kbytes Page：9 Pages	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
IXFA3N120	HiPerFETPowerMOSFETs 文件：565.87 Kbytes Page：4 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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更新时间：2024-5-14 20:22:01

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2021-4-2
CS4224KS，代理销售，只售原装，买电子元器件找深圳兴中扬电子科技
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2019-12-1
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2019-8-8
CS4101-精密空芯塔克/ SPEEDO驱动器，具有单独的函数发生器的输入
CS4101是专门使用空芯米运动。该IC提供的所有功能必要的模拟转速表或里程表。“CS4101采用速度传感器的输入并产生正弦和余弦相关输出信号，以差异驱动米空芯。许多增强功能已增加了超过行业标准如转速表驱动程序CS-289或LM1819。输出利用差分驱动器，从而消除了需要一个齐纳参考并提供更大的扭矩。该设备承受这60V瞬变减少保护电路要求。该设备也比较精确比现有设备允许在使用较少的装饰和测速仪。特点直接传感器的输入高输出扭矩低指针扑高输入阻抗过电压保护
2012-12-6
CS3843A-脱线的电流模式PWM控制电路的欠压锁定
CS284XA，CS384XA提供所有必要的功能来实现脱线的固定频率电流模式最低数量的控制外部元件。CS384XA系列包含了新的高精度温度控制振荡器与内部微调放电电流，以尽量减少变化在频率上。一个精密dutycycle钳省去了外部振荡器时，50％dutycycle被使用。责任周期大于50％也是可能的。在电路板的逻辑确保VREF是稳定之前启用输出级。离子植入电阻提供更严格的控制欠压锁定。其他功能还包括低启动目前，脉冲，脉冲电流限制，和高电流的图腾柱输出驱动容性负载，如功率MOSFET的栅极。输出处于关闭状态是低的，一致的N沟道器件。CS384XA系列电流模式控制IC，可在8and14表面贴装引
2012-12-3

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