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STGB35N35LZ价格

参考价格：￥8.1803

型号：STGB35N35LZ-1 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB35N35LZ多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB35N35LZ批发/采购报价，STGB35N35LZ行情走势销售排行榜，STGB35N35LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGB35N35LZ

Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGB35N35LZ-1

Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGB35N35LZT4

Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGB35N35LZ-1

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：IGBT 345V 40A 176W I2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGB35N35LZT4

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 345V 40A 176W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STGP35N35LZ

Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STGB35N35LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB35N35LZ

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

STGB35N35LZ供应商更多...

更新时间：2025-6-24 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
STGB35N35LZ-1
ST/意法
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ST
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STGB35N35LZ
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