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STGB35N35LZT4价格
参考价格：￥11.4150
型号：STGB35N35LZT4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB35N35LZT4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB35N35LZT4批发/采购报价，STGB35N35LZT4行情走势销售排行榜，STGB35N35LZT4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB35N35LZT4 | Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGB35N35LZT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 345V 40A 176W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STGB35N35LZT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB35N35LZT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO-263 |
22+ |
10000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
7500 |
原装现货17377264928微信同号 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
||||
ST/意法 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
ST/意法 |
20+ |
TO-263 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268826邹小姐 |
|||
ST |
2511 |
TO-263D2PAK |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST |
25+ |
TO-263D2PAK |
16900 |
原装，请咨询 |
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2022-2-17
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