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STGB35N35LZT4价格
参考价格：￥11.4150
型号：STGB35N35LZT4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB35N35LZT4多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB35N35LZT4批发/采购报价，STGB35N35LZT4行情走势销售排行榜，STGB35N35LZT4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB35N35LZT4 | Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGB35N35LZT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 345V 40A 176W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
STGB35N35LZT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB35N35LZT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ST |
TO-263 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ST |
2023+ |
TO-263 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ST |
TO-263 |
22+ |
10000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
ST/意法 |
2024+实力库存 |
TO-263 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
43788 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ST |
21+ |
TO-263 |
35200 |
一级代理/放心采购 |
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ST |
20+ |
TO-263 |
25000 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
ST |
22+ |
TO-263 |
30000 |
原装正品 |
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STGB35N35LZT4规格书下载地址
STGB35N35LZT4参数引脚图相关
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原装正品现货
2022-5-7STF40NF20 ST/意法 21+ TO-220F
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-17
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