STGD5H60DF

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2022-5-7 9:24:00

企业深圳市科雨电子有限公司

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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室

原装正品现货

制造商 STMicroelectronics

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 10 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 20 A

不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) 1.95V @ 15V,5A

功率 - 最大值 83 W

开关能量 56μJ(开),78.5μJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 43 nC

25°C 时 Td(开/关)值 30ns/140ns

测试条件 400V,5A,47 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr) 134.5 ns

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

器件封装 DPAK

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

Trench Field-stop IGBT

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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Ultrafast Recovery Diode

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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2025-8-3 8:48:00
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