STGD5H60DF

发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2022-5-7 9:24:00

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原装正品现货

制造商 STMicroelectronics

IGBT 类型沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 20 A

不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） 1.95V @ 15V，5A

功率 - 最大值 83 W

开关能量 56μJ（开），78.5μJ（关）

输入类型标准

栅极电荷 43 nC

25°C 时 Td（开/关）值 30ns/140ns

测试条件 400V，5A，47 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr) 134.5 ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

器件封装 DPAK

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
STGD5H60DF	Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD5H60DF	Trench Field-stop IGBT	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GUR5H60	Ultrafast Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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GURB5H60	Ultrafast Recovery Diode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2025-11-13 13:01:00