STGP35N35LZ价格

参考价格:¥9.5601

型号:STGP35N35LZ 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP35N35LZ多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP35N35LZ批发/采购报价,STGP35N35LZ行情走势销售排行榜,STGP35N35LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGP35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP35N35LZ

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 345V 40A 176W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP35N35LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP35N35LZ

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 450mJ 345V PowerMESH IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-23 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
ST
1715+
TO-220
300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST全系列
25+23+
TO-220
26626
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
2526+
原厂封装
50000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268900邹小姐
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
ST
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST
25+
TO-TO-220
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST/意法半导体
25+
原厂封装
9999

STGP35N35LZ数据表相关新闻